2N5551TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5551TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.24 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 180 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.2 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 160 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.6 A |
| dc collector/base gain hfe min | 80 |
| dc current gain hfe max | 250 |
| длина: | 4.7 mm |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| factory pack quantity | 2000 |
| gain bandwidth product ft | 300 MHz |
| height | 4.7 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.: | 250 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
| конфигурация: | Single |
| length | 4.7 mm |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора: | 0.6 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum collector base voltage | 180 V |
| maximum collector emitter voltage | 160 V |
| maximum dc collector current | 0.6 A |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 100 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 625 mW |
| минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| minimum dc current gain | 80 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo): | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo): | 180 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.: | 160 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.2 V |
| непрерывный коллекторный ток: | 0.6 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-92-3 Kinked Lead |
| package type | TO-92 |
| packaging | Ammo Pack |
| партномер | 8004673720 |
| pd - power dissipation | 625 mW |
| pd - рассеивание мощности: | 625 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория: | Transistors |
| полярность транзистора: | NPN |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft): | 300 MHz |
| производитель: | ON Semiconductor |
| размер фабричной упаковки: | 2000 |
| rohs | Details |
| series | 2N5551 |
| серия: | 2N5551 |
| ширина: | 3.93 mm |
| технология: | Si |
| тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| unit weight | 0.008466 oz |
| упаковка: | Ammo Pack |
| упаковка / блок: | TO-92-3 Kinked Lead |
| вид монтажа: | Through Hole |
| Время загрузки | 2:02:10 |
| высота: | 4.7 mm |
| width | 3.93 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
