2N5551BU, Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2N5551BU
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo
180 V
collector-emitter saturation voltage
0.2 V
collector- emitter voltage vceo max
160 V
configuration
Single
continuous collector current
0.6 A
dc collector/base gain hfe min
80
dc current gain hfe max
250
emitter- base voltage vebo
6 V
factory pack quantity
1000
gain bandwidth product ft
300 MHz
height
4.7 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
length
4.7 mm
manufacturer
ON Semiconductor
maximum collector base voltage
180 V
maximum collector emitter voltage
160 V
maximum dc collector current
0.6 A
maximum emitter base voltage
6 V
maximum operating frequency
100 MHz
maximum operating temperature
+150 C
maximum power dissipation
625 mW
minimum operating temperature
-55 C
mounting style
Through Hole
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package / case
TO-92-3
package type
TO-92
packaging
Bulk
партномер
8006368961
part # aliases
2N5551BU_NL
pd - power dissipation
625 mW
pin count
3
product category
Bipolar Transistors-BJT
rohs
Details
series
2N5551
transistor configuration
Single
transistor polarity
NPN
transistor type
NPN
unit weight
0.006314 oz
Время загрузки
2:02:14
width
3.93 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26