2N5551 TIN/LEAD

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N5551 TIN/LEAD
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition300MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
партномер8005912981
power - max625mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageTO-92
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)160V
Время загрузки0:27:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль