2N5550TFR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
ЭлектроэлементTransistor GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R - Bulk (Alt: 2N5550TFR)
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.24 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| base part number | 2N5550 |
| collector- base voltage vcbo: | 160 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 250 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 140 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 600 mA |
| current - collector cutoff (max) | 100nA(ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 600mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 60 |
| dc current gain hfe max: | 250 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 10mA, 5V |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 2000 |
| frequency - transition | 300MHz |
| gain bandwidth product ft: | 300 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum collector base voltage | 160 V |
| maximum collector emitter voltage | 140 V |
| maximum dc collector current | 600 mA |
| maximum dc collector current: | 600 mA |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 300 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum power dissipation | 625 mW |
| minimum dc current gain | 50 |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C(TJ) |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
| package / case: | TO-92-3 Kinked Lead |
| package type | TO-92 |
| packaging | Cut Tape(CT) |
| packaging: | Reel, Cut Tape |
| партномер | 8002979440 |
| part # aliases: | 2N5550TFR_NL |
| part status | Active |
| pd - power dissipation: | 625 mW |
| pin count | 3 |
| power - max | 625mW |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series | - |
| series: | 2N5550 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 140V |
| Время загрузки | 2:13:48 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
