2N5401 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5401 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N5401 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:60 at 10 mA, 5 V
dc current gain hfe max:240 at 10 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8005049599
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N54
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:27:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль