2N5322 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5322 PBFREE
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор PNP 75V 2A 50MHz 10W Through Hole TO-39
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1.87 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Бренд | Central Semiconductor Corp |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo: | 100 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 500 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 75 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 2 A |
| current - collector cutoff (max) | 500nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 2A |
| dc collector/base gain hfe min: | 30 |
| dc current gain hfe max: | 175 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 500mA, 4V |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 500 |
| frequency - transition | 50MHz |
| gain bandwidth product ft: | 50 MHz |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer: | Central Semiconductor |
| maximum dc collector current: | 2 A |
| maximum operating temperature: | +200 C |
| minimum operating temperature: | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| package / case: | TO-39 |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8005049592 |
| pd - power dissipation: | 10 W |
| power - max | 10W |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| simulation models | http://www.centralsemi.com/docs/csm/2N5322.LIB |
| subcategory: | Transistors |
| supplier device package | TO-39 |
| transistor polarity: | PNP |
| transistor type | PNP |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 75V |
| Время загрузки | 0:27:52 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
