2N5190G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N5190G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft2МГц
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:1.4 V
collector emitter voltage max40В
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current
dc collector/base gain hfe min:25
dc current gain hfe min10hFE
dc усиление тока hfe10hFE
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
gain bandwidth product ft:2 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:4 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
монтаж транзистораThrough Hole
mounting style:Through Hole
package / case:TO-225-3
packaging:Bulk
партномер8008470250
pd - power dissipation:40 W
полярность транзистораNPN
power dissipation40Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N5190
стиль корпуса транзистораTO-225
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:57:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль