Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	90 at 2.5 A, 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 2.5 A, 5 VDC

7 510 ₽

– +

Бонус: 150.2 !

Бонусная программа

Итого: 7 510 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	90 at 2.5 A, 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 2.5 A, 5 VDC
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	750 mV
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	100
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-39-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N5152