Name: 2N5151, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Brand: Microchip Technology
SKU: 2N5151

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N5151, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Подробное описание

7 750 ₽

– +

Бонус: 155 !

Бонусная программа

Итого: 7 750 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Microchip Technology
Бренд	Microchip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:	100 V
collector-emitter saturation voltage:	750 mV
collector- emitter voltage vceo max:	80 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	30 at 2.5 A, 5 VDC
dc current gain hfe max:	90 at 2.5 A, 5 VDC
emitter- base voltage vebo:	5.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	1
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Microchip
maximum dc collector current:	10 A
maximum operating temperature:	+200 C
minimum operating temperature:	-65 C
mounting style:	Through Hole
package / case:	TO-39-3
packaging:	Bulk
партномер	8004809143
pd - power dissipation:	1 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	2:23:59

Отзывов нет

Кнопки

Теги: