Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.68 |
Высота | 11.04 mm (Max) |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
configuration | Common Base |
dimensions | 7.74x2.66x11.04 mm |
длина | 7.74 mm (Max) |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant |
height | 11.04 mm |
hts | 8541.29.00.95 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
конфигурация | Single |
length | 7.74 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
material | Si |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.3@0.1A@1A |
maximum collector base voltage | 80 V |
maximum collector base voltage (v) | 80 |
maximum collector cut-off current (na) | 100000 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.6@0.1A@1A |
maximum collector emitter voltage | -80 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
maximum dc collector current | -1 A |
maximum dc collector current (a) | 3 |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating frequency | 1 MHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 30 W |
maximum power dissipation (mw) | 30000 |
maximum transition frequency (mhz) | 3(Min) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum dc current gain | 30@500mA@1V|40@50mA@1V|10@1A@1V |
minimum operating temperature (°c) | -65 |
mounting | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
непрерывный коллекторный ток | 3 A |
number of elements per chip | 1 |
number of pins | 3 |
package height | 11.04(Max) |
package length | 7.74(Max) |
package type | TO-225 |
package width | 2.66(Max) |
packaging | Box |
партномер | 8002981635 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 30 W |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
polarity | PNP |
полярность транзистора | PNP |
power dissipation | 30 W |
primary type | Si |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
размер фабричной упаковки | 500 |
серия | 2N4920 |
supplier package | TO-225 |
tab | Tab |
temperature, operating, maximum | +150 °C |
temperature, operating, minimum | -65 °C |
temperature, operating, range | -65 to+150 °C |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Single |
transistor type | PNP |
type | Medium Power |
упаковка | Bulk |
упаковка / блок | TO-225-3 |
вид монтажа | Through Hole |
Время загрузки | 0:45:04 |
Ширина | 2.66 м |
width | 2.66 mm |