| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.68 |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Common Base |
| dimensions | 7.74x2.66x11.04 mm |
| длина | 7.74 mm (Max) |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| height | 11.04 mm |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| конфигурация | Single |
| length | 7.74 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.3@0.1A@1A |
| maximum collector base voltage | 80 V |
| maximum collector base voltage (v) | 80 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100000 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.6@0.1A@1A |
| maximum collector emitter voltage | -80 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current | -1 A |
| maximum dc collector current (a) | 3 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 30 W |
| maximum power dissipation (mw) | 30000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 3(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 30@500mA@1V|40@50mA@1V|10@1A@1V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| number of elements per chip | 1 |
| number of pins | 3 |
| package height | 11.04(Max) |
| package length | 7.74(Max) |
| package type | TO-225 |
| package width | 2.66(Max) |
| packaging | Box |
| партномер | 8002981635 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 30 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| polarity | PNP |
| полярность транзистора | PNP |
| power dissipation | 30 W |
| primary type | Si |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| серия | 2N4920 |
| supplier package | TO-225 |
| tab | Tab |
| temperature, operating, maximum | +150 °C |
| temperature, operating, minimum | -65 °C |
| temperature, operating, range | -65 to+150 °C |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | PNP |
| type | Medium Power |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-225-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:45:04 |
| Ширина | 2.66 м |
| width | 2.66 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
