2N4920G, Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N4920G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N4920G, Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота11.04 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
66
+
Бонус: 1.32 !
Бонусная программа
Итого: 66
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 30W PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота11.04 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
dimensions7.74x2.66x11.04 mm
длина7.74 mm (Max)
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
height11.04 mm
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
length7.74 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.3@0.1A@1A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector cut-off current (na)100000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.6@0.1A@1A
maximum collector emitter voltage-80 V
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current-1 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation30 W
maximum power dissipation (mw)30000
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain30@500mA@1V|40@50mA@1V|10@1A@1V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
number of pins3
package height11.04(Max)
package length7.74(Max)
package typeTO-225
package width2.66(Max)
packagingBox
партномер8001142948
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности30 W
pin count3
подкатегорияTransistors
polarityPNP
полярность транзистораPNP
power dissipation30 W
primary typeSi
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки500
серия2N4920
supplier packageTO-225
tabTab
temperature, operating, maximum+150 °C
temperature, operating, minimum-65 °C
temperature, operating, range-65 to+150 °C
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-225-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки1:33:15
Ширина2.66 м
width2.66 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль