2N4410 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 120Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 250mA 625mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N4410 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N4410 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:120 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:250 mA
dc collector/base gain hfe min:60
dc current gain hfe max:400
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:250 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92
packaging:Bulk
партномер8005049569
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:29:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль