2N4403BU, Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N4403BU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N4403BU, Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeTRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:20hFE; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead finishMatte Tin
maximum base emitter saturation voltage0.95@15mA@150mAI1.3@50mA@500mA V
maximum collector base voltage40 V
maximum collector emitter saturation voltage0.4@15mA@150mAI0.75@50mA@500mA V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current0.6 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum power dissipation625 mW
minimum dc current gain30@0.1mA@1VI60@1mA@1VI100@10mA@1VI100@150mA@2VI20@500mA@2V
mountingThrough Hole
operating temperature-55 to 150 °C
партномер8003198475
typePNP
Время загрузки0:25:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль