2N4401 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N4401 PBFREE
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 40V 600mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:750 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
current - collector (ic) (max)600mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:300
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 1V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
frequency - transition250MHz
gain bandwidth product ft:250 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
package / case:TO-92
packaging:Bulk
партномер8006117382
pd - power dissipation:625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max625mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-92
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic750mV @ 50mA, 500mA
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки0:29:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль