Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	120
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30

2 580 ₽

– +

Бонус: 51.6 !

Бонусная программа

Итого: 2 580 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	120
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
конфигурация	Single
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
непрерывный коллекторный ток	2 A
pd - рассеивание мощности	26 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	30 MHz
размер фабричной упаковки	100
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-39-3
вес, г	1.849
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N4300