2N4300, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N4300
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N4300, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.849
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
3 200
+
Бонус: 64 !
Бонусная программа
Итого: 3 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.849
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.120
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8004809139
pd - рассеивание мощности26 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)30 MHz
размер фабричной упаковки100
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:22:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль