2N4126 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 25V 250MHz Through Hole TO-92
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 2mA, 1V
eccnEAR99
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 25V 250MHz Through Hole TO-92
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 2mA, 1V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.360 at 2 mA, 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120 at 2 mA, 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)25 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
pd - рассеивание мощности625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия2N41
supplier device packageTO-92
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor typePNP
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)25V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль