2N4124 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N4124 PBFREE
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 25V 300MHz Through Hole TO-92
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:25 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
dc collector/base gain hfe min:120 at 2 mA, 1 V
dc current gain hfe max:360 at 2 mA, 1 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 2mA, 1V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
frequency - transition300MHz
gain bandwidth product ft:300 MHz
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.360 at 2 mA, 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120 at 2 mA, 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
package / case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8005844141
pd - power dissipation:625 mW
pd - рассеивание мощности625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series:2N41
серия2N41
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-92
technology:Si
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)25V
Время загрузки0:29:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль