2N4058 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N4058 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N4058 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.217
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.217
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:30 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:400
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92
packaging:Bulk
партномер8004700446
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:29:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль