2N4029, Bipolar Transistors - BJT 80 V Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N4029
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N4029, Bipolar Transistors - BJT 80 V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
2 510
+
Бонус: 50.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:1 A
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8004809136
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:22:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль