2N3906TAR, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3906TAR
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N3906TAR, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.24
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.24
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3 Kinked Lead
packaging:Ammo Pack
партномер8004832366
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N3906
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки1:32:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль