2N3906BU, 2N3906 PNP Transistor, -200 mA, -40 V, 3-Pin TO-92

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3906BU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N3906BU, 2N3906 PNP Transistor, -200 mA ...
ON Semiconductor
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота5.33мм
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor
22
+
Бонус: 0.44 !
Бонусная программа
Итого: 22
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота5.33мм
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor
БрендON Semiconductor***
Основные
число контактов3
collector- base voltage vcbo40 V
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max40 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configurationSingle
configuration:Single
dc current gain hfe max300
dc current gain hfe max:300
длина5.2мм
emitter- base voltage vebo-5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity1000
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft250 MHz
gain bandwidth product ft:250 MHz
height4.7 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество элементов на ис1
length4.7 mm
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база-5 V
максимальное напряжение коллектор-база-40 V
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)40 V
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер-0,95 В
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.4 V
максимальное рассеяние мощности0.625 W
максимальный пост. ток коллектора200 mA
manufacturerON Semiconductor
manufacturer:onsemi
maximum collector base voltage-40 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current200 mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation625 mW
минимальная рабочая температура-55 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току30
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-92-3
package/case:TO-92-3
package typeTO-92
packagingBulk
packaging:Bulk
партномер8014471929
part # aliases2N3906BU_NL
part # aliases:2N3906BU_NL
pd - power dissipation625 mW
pd - power dissipation:625 mW
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
размеры5.2 x 4.19 x 5.33мм
rohsDetails
series2N3906
series:2N3906
subcategory:Transistors
technology:Si
тип корпусаTO-92
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
тип транзистораPNP
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
unit weight0.006314 oz
Время загрузки0:26:01
Ширина4.19 мм
width3.93 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль