2N3906-G, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3906-G
Биполярные транзисторы - BJT -40V -200mA TO-92
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 100mA, 1V
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT -40V -200mA TO-92
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 100mA, 1V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBag
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
pd - рассеивание мощности625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия2N3906
supplier device packageTO-92
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаComchip Technology
transistor typePNP
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль