2N3905 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N3905 PBFREE
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4536
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 40V 200MHz Through Hole TO-92
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4536
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
dc collector/base gain hfe min:50 at 10 mA, 1 V
dc current gain hfe max:150 at 10 mA, 1 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 10mA, 1V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
frequency - transition200MHz
gain bandwidth product ft:200 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.150 at 10 mA, 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 10 mA, 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
package / case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8006175170
pd - power dissipation:625 mW
pd - рассеивание мощности625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series:2N39
серия2N39
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-92
technology:Si
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки0:29:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль