- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 40V 200MHz Through Hole TO-92
Дата загрузки | 23.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.4536 |
Информация о производителе | |
Производитель | Central Semiconductor Corp |
Бренд | Central Semiconductor Corp |
Основные | |
collector- base voltage vcbo: | 40 V |
collector-emitter saturation voltage: | 400 mV |
collector- emitter voltage vceo max: | 40 V |
configuration: | Single |
continuous collector current: | 200 mA |
current - collector cutoff (max) | 50nA (ICBO) |
dc collector/base gain hfe min: | 50 at 10 mA, 1 V |
dc current gain hfe max: | 150 at 10 mA, 1 V |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 10mA, 1V |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 2500 |
frequency - transition | 200MHz |
gain bandwidth product ft: | 200 MHz |
htsus | 8541.21.0095 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 150 at 10 mA, 1 V |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 10 mA, 1 V |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
manufacturer: | Central Semiconductor |
maximum dc collector current: | 200 mA |
maximum operating temperature: | +150 C |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum operating temperature: | -65 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style: | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 40 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 40 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
operating temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Bulk |
package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
package / case: | TO-92-3 |
packaging: | Bulk |
партномер | 8006175170 |
pd - power dissipation: | 625 mW |
pd - рассеивание мощности | 625 mW |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 200 MHz |
размер фабричной упаковки | 2500 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series: | 2N39 |
серия | 2N39 |
subcategory: | Transistors |
supplier device package | TO-92 |
technology: | Si |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Central Semiconductor |
transistor polarity: | PNP |
transistor type | PNP |
упаковка / блок | TO-92-3 |
вид монтажа | Through Hole |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 40V |
Время загрузки | 0:29:52 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26