2N3799 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Low Noise Ampl

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3799 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N3799 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Low ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.31
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
940
+
Бонус: 18.8 !
Бонусная программа
Итого: 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.31
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:50 mA
dc collector/base gain hfe min:300
dc current gain hfe max:900
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:80 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:50 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8005049535
pd - power dissipation:360 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N37
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:29:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль