2N3773 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 140V 16A 4MHz 150W Through Hole TO-3
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)10mA
current - collector (ic) (max)16A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce15 @ 8A, 4V
2 130
+
Бонус: 42.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 140V 16A 4MHz 150W Through Hole TO-3
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)10mA
current - collector (ic) (max)16A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce15 @ 8A, 4V
eccnEAR99
frequency - transition4MHz
htsus8541.29.0095
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-204AA, TO-3
power - max150W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-3
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic4V @ 3.2A, 16A
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль