2N3700UB, Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3700UB
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты | |
base product number | 2N3700 -> |
current - collector cutoff (max) | 10ВµA (ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 1A |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 500mA, 10V |
eccn | EAR99 |
htsus | 8541.21.0095 |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 200 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
минимальная рабочая температура | 65 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 140 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
operating temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
package | Bulk |
package / case | 3-SMD, No Lead |
pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 500mW |
размер фабричной упаковки | 1 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs | N |
rohs status | RoHS non-compliant |
supplier device package | UB |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Microsemi |
transistor type | NPN |
упаковка | Waffle |
упаковка / блок | UB-4 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26