2N3700UB, Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3700UB
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты
base product number2N3700 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
9 230
+
Бонус: 184.6 !
Бонусная программа
Итого: 9 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты
base product number2N3700 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 500mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / case3-SMD, No Lead
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohsN
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageUB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
transistor typeNPN
упаковкаWaffle
упаковка / блокUB-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль