2N3700, Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3700
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
1 730
+
Бонус: 34.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковка / блокTO-18-3
вид монтажаThrough Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль