Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	150 at 50 mA at 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50 at 50 mA at 10 VDC

2 710 ₽

– +

Бонус: 54.2 !

Бонусная программа

Итого: 2 710 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	150 at 50 mA at 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50 at 50 mA at 10 VDC
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	175 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	175 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка / блок	TO-39-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N3636