2N3636, Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3636
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N3636, Bipolar Transistors - BJT 175 V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
3 380
+
Бонус: 67.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.150 at 50 mA at 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 50 mA at 10 VDC
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)175 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.175 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
партномер8004670858
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки1
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковка / блокTO-39-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:23:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль