Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 300V 2A 10MHz 35W Through Hole TO-66

Подробное описание

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	5mA
current - collector (ic) (max)	2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	25 @ 1A, 10V

2 940 ₽

– +

Бонус: 58.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 940 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 300V 2A 10MHz 35W Through Hole TO-66

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	5mA
current - collector (ic) (max)	2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	25 @ 1A, 10V
eccn	EAR99
frequency - transition	10MHz
htsus	8541.29.0095
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-65В°C ~ 200В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-213AA, TO-66-2
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	35W
размер фабричной упаковки	30
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	TO-66
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Central Semiconductor
transistor type	NPN
упаковка	Tube
vce saturation (max) @ ib, ic	750mV @ 125mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)	300V

Отзывов нет

Кнопки

2N3585 PBFREE