Электронные компоненты 2N3507 купить в наличии в интернет-магазине ООО «Телеметрия»

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	175 at 500 mA at 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35 at 500 mA at 1 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-39-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки