2N3501, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3501
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N3501, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
2 870
+
Бонус: 57.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
base product number2N3501 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)300mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
партномер8004670857
подкатегорияTransistors
power - max1W
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohsN
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageTO-39 (TO-205AD)
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
transistor typeNPN
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 15mA, 150mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)150V
Время загрузки2:23:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль