Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	60 at 1 A, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20 at 1 A, 2 V

4 430 ₽

– +

Бонус: 88.6 !

Бонусная программа

Итого: 4 430 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	60 at 1 A, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20 at 1 A, 2 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	8 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	125 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	100
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-5-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N3419