2N3134 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3134 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N3134 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.24
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
2 180
+
Бонус: 43.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.24
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:600 mV
collector- emitter voltage vceo max:35 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:4 V
factory pack quantity: factory pack quantity:200
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8005049503
pd - power dissipation:600 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:28:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль