2N3019S, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3019S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N3019S, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г3.36
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
5 790
+
Бонус: 115.8 !
Бонусная программа
Итого: 5 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г3.36
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:140 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-39-3
packaging:Bulk
партномер8004809118
pd - power dissipation:800 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:22:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль