2N3019

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N3019
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
4 150
+
Бонус: 83 !
Бонусная программа
Итого: 4 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
base product number2N3019 ->
collector- base voltage vcbo:140 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:1 A
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc collector/base gain hfe min:15
dc current gain hfe max:300
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 500mA, 10V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
package / case:TO-5-3
packaging:Bulk
партномер8014039049
pd - power dissipation:800 mW
power - max800mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS non-compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-5
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки2:22:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль