2N3019 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3019 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N3019 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.37
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
640
+
Бонус: 12.8 !
Бонусная программа
Итого: 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.37
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:140 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:1 A
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-39
packaging:Bulk
партномер8005049492
pd - power dissipation:800 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:28:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль