Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BJTs

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
конфигурация	Single

6 250 ₽

– +

Бонус: 125 !

Бонусная программа

Итого: 6 250 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	25 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	25 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	20 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
pd - рассеивание мощности	400 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
размер фабричной упаковки	100
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-46-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N2945AUB/TR