2N2907 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N2907 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N2907 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.93
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
710
+
Бонус: 14.2 !
Бонусная программа
Итого: 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.93
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8005049487
pd - power dissipation:400 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:28:29
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль