2N2905AE3, Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N2905AE3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N2905AE3, Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
2 980
+
Бонус: 59.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 980
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:75
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package/case:TO-39-3
партномер8009229779
pd - power dissipation:800 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:22:09
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль