2N2222Ae3, Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N2222Ae3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N2222Ae3, Bipolar Transistors - BJT 50 V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.63
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
1 360
+
Бонус: 27.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.63
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:800 mA
dc collector/base gain hfe min:30
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:800 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8004809106
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:13:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль