2N2219Ae3, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N2219Ae3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N2219Ae3, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
2 170
+
Бонус: 43.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.325 at 1 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 0.1 mA, 10 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора800 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
партномер8004809103
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:22:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль