2N2219A, Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N2219A
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты
base product number2N2219 ->
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)800mA
2 460
+
Бонус: 49.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты
base product number2N2219 ->
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)800mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.325 at 1 mA at 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)75 at 1 mA at 10 VDC
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора800 mA
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
operating temperature-55В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
pd - рассеивание мощности800 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max800mW
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohsN
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageTO-39 (TO-205AD)
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
transistor typeNPN
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 50mA, 500mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль