2N2219 PBFREE
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 30V 800mA 250MHz 800mW Through Hole TO-39
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Бренд | Central Semiconductor Corp |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo: | 60 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 1.6 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 30 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 800 mA |
| current - collector cutoff (max) | 10nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 800mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 100 |
| dc current gain hfe max: | 300 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 150mA, 10V |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 500 |
| frequency - transition | 250MHz |
| gain bandwidth product ft: | 250 MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 at 150 mA, 10 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 150 mA, 10 V |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer: | Central Semiconductor |
| maximum dc collector current: | 800 mA |
| maximum operating temperature: | +200 C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum operating temperature: | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| operating temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| package / case: | TO-39-3 |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8006143389 |
| pd - power dissipation: | 800 mW |
| pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 800mW |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 250 MHz |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series: | 2N22 |
| серия | 2N22 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier device package | TO-39 |
| technology: | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Central Semiconductor |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | TO-39-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| вид монтажа | Through Hole |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 30V |
| Время загрузки | 0:28:11 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
