2N2219 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N2219 PBFREE
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 30V 800mA 250MHz 800mW Through Hole TO-39
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 3.26 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Бренд | Central Semiconductor Corp |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo: | 60 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 1.6 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 30 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 800 mA |
| current - collector cutoff (max) | 10nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 800mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 100 |
| dc current gain hfe max: | 300 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 150mA, 10V |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 500 |
| frequency - transition | 250MHz |
| gain bandwidth product ft: | 250 MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer: | Central Semiconductor |
| maximum dc collector current: | 800 mA |
| maximum operating temperature: | +200 C |
| minimum operating temperature: | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| package / case: | TO-39-3 |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8005049475 |
| pd - power dissipation: | 800 mW |
| power - max | 800mW |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series: | 2N22 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier device package | TO-39 |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 30V |
| Время загрузки | 0:28:11 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
