Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 65V 1A 60MHz 1W Through Hole TO-39

Подробное описание

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	2nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	40 @ 150mA, 10V

530 ₽

– +

Бонус: 10.6 !

Бонусная программа

Итого: 530 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 65V 1A 60MHz 1W Through Hole TO-39

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	2nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	40 @ 150mA, 10V
eccn	EAR99
frequency - transition	60MHz
htsus	8541.29.0075
категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:	120
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	65 V
непрерывный коллекторный ток:	1 A
operating temperature	-65В°C ~ 200В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
pd - рассеивание мощности:	1 W
подкатегория:	Transistors
полярность транзистора:	NPN
power - max	1W
производитель:	Central Semiconductor
размер фабричной упаковки:	500
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	TO-39
тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:	Central Semiconductor
transistor type	NPN
упаковка:	Bulk
упаковка / блок:	TO-39
вид монтажа:	Through Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)	65V

Отзывов нет

Кнопки

2N2102 PBFREE