2N1485, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N1485
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N1485, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г09.12.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
14 450
+
Бонус: 289 !
Бонусная программа
Итого: 14 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г09.12.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:750 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:12 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-8-3
packaging:Tray
партномер8004809100
pd - power dissipation:1.75 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:22:29
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль